Samsung 970 EVO PLUS 250 GB SSD

NVMe, M.2, MZ-V7S250BW/EU

Artikelnr.: 10899146

Herstellernr.: MZ-V7S250BW

EAN: 8801643628079

Vorschau: Samsung 970 EVO PLUS 250 GB SSD

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970 EVO Plus » 250 GB
Lesen bis zu 3.500 MB/s
Schreiben bis 3.200 MB/s
PCIe Gen 3.0 x 4 und NVMe™ 1.3 SSD
5 Jahre Herstellergarantie

Hersteller: Samsung
Herst. Nr.: MZ-V7S250BW
Gewicht: 0.01 kg

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Produktbeschreibung

So wird hohe Leistung noch gesteigert. Die mit modernster V-NAND-Technologie ausgestattete 970 EVO Plus ist noch schneller als die 970 EVO und verfügt zudem über eine Firmware-Optimierung. Damit reizt sie das Potential der PCIe-Schnittstelle und des NVMe Protokolls für noch schnellere Zugriffszeiten voll aus.

Technische Daten

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Allgemein

Hersteller

Samsung

Herst. Art. Nr.

MZ-V7S250BW

EAN

0887276302515, 8801643628079

Hauptmerkmale

Produktbeschreibung

Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S250BW - Solid-State-Disk - 250 GB - PCI Express 3. 0 x4 (NVMe)

Typ

Solid-State-Disk - intern

Kapazität

250 GB

Hardwareverschlüsselung

Verschlüsselungsalgorithmus

256-Bit-AES

NAND-Flash-Speichertyp

TLC (Triple-Level Cell)

Formfaktor

M. 2 2280

Schnittstelle

PCI Express 3. 0 x4 (NVMe)

Puffergrösse

512 MB

Merkmale

TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1. 3, Samsung Phoenix Controller, S. M. A. R. T.

Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe)

22. 15 mm x 80. 15 mm x 2. 38 mm

Gewicht

8 g

Allgemein

Gerätetyp

Solid-State-Disk - intern

Kapazität

250 GB

Hardwareverschlüsselung

Verschlüsselungsalgorithmus

256-Bit-AES

NAND-Flash-Speichertyp

TLC (Triple-Level Cell)

Formfaktor

M. 2 2280

Schnittstelle

PCI Express 3. 0 x4 (NVMe)

Puffergröße

512 MB

Merkmale

TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1. 3, Samsung Phoenix Controller, S. M. A. R. T.

Breite

22. 15 mm

Tiefe

80. 15 mm

Höhe

2. 38 mm

Gewicht

8 g

Leistung

SSD-Leistung

150 TB

Interner Datendurchsatz

3500 MBps (lesen)/ 2300 MBps (Schreiben)

4 KB Random Read

17000 IOPS

4 KB Random Write

60000 IOPS

Maximal 4 KB Random Write

550000 IOPS

Maximal 4 KB Random Read

250000 IOPS

Zuverlässigkeit

MTBF

1, 500, 000 Stunden

Erweiterung und Konnektivität

Schnittstellen

PCI Express 3. 0 x4 (NVMe) - M. 2 Card

Kompatibles Schaltfeld

M. 2 2280

Stromversorgung

Energieverbrauch

5 Watt (Durchschnitt) ¦ 8 Watt (Maximum) ¦ 30 mW (Inaktivität Maximum)

Verschiedenes

Kennzeichnung

IEEE 1667

Umgebungsbedingungen

Min Betriebstemperatur

0 °C

Max. Betriebstemperatur

70 °C

Schocktoleranz (in Betrieb)

1500 g @ 0, 5 ms Sinushalbwellen

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